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2024-03-06 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：基底上形成有图形材料层，图形材料层上形成有第一核心材料层，基底包括交替排列的晶体管区和间隔区，晶体管区的图形材料层用于形成目标图形；在第一核心材料层上形成分立且平行排列的第一核心层，第一核心层包括覆盖间隔区的第一子核心层，第一子核心层的线宽为间隔区的线宽与两倍目标图形的目标线宽之和；在第一核心层的侧壁形成第一侧墙；去除第一核心层；以第一侧墙为掩膜图形化第一核心材料层，形成第二核心层；在第二核心层的侧壁形成第二侧墙，在晶体管区中，位于相邻第二核心层之间的第二侧墙相接

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117651409A

(43)申请公布日2024.03.05

(21)申请号202210961547.2

(22)申请日2022.08.11

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

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