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一种碳化硅封装热沉的制备方法.pdfVIP

一种碳化硅封装热沉的制备方法.pdf

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    本发明提供一种碳化硅封装热沉的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）在碳化硅单晶衬底的正反面制备厚度为2000~20000A的氮化铝薄膜；（2）在氮化铝薄膜上制备金属种子层；（3）在金属种子层上依次电镀第一铜层、镍层和金层后，蒸发制备铂层；（4）在铂层上采用双电子枪同时蒸发金和锡制备金锡焊料层，得到所述碳化硅封装热沉。本发明所述的制备方法操作简单，得到的碳化硅封装热沉的热导率高且绝缘性好，具有大规模推广应用前景。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117650053A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202410125228.7

    (22)申请日2024.01.30

    (71)申请人天津正新光电科技有限公司

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