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本实用新型涉及MEMS光纤传感器技术领域，尤其是一种基于F‑P腔的光纤MEMS流体压力传感器。其包括安装管，所述安装管上端通过螺纹连接安装螺栓，所述安装螺栓中心竖直设置上下贯通的光纤安装孔，所述光纤安装孔内插入光纤，光纤内设置光纤纤芯，安装螺栓底部中心设置芯片安装槽，所述芯片安装槽和光纤安装孔连通；所述芯片安装槽内固定MEMS芯片，光纤纤芯连接MEMS芯片；所述MEMS芯片包括硅基底层和氮化硅层，硅基底层和氮化硅层分上下连接成一体，光纤纤芯一端穿过硅基底层后面向氮化硅层。本实用新型通过F‑P谐振
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220568309U
(45)授权公告日2024.03.08
(21)申请号202322327838.9
(22)申请日2023.08.29
(73)专利权人江苏光微半导体有限公司
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