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本发明公开了一种降低大尺寸金刚石生长过程中表面温差的办法，涉及金刚石薄膜制备技术领域，包括步骤S1：衬底预处理、S2：图形化结构优化衬底支架、S3：形核阶段以及S4：生长阶段。本发明采用经过图形化优化的衬底支架，降低了金刚石在生长过程中的表面温差，提高了生长大尺寸金刚石膜厚均匀性。经过图形化处理后的衬底支架可做到可控引入空气隔热层，有效改善衬底表面温度差过大问题，提升金刚石薄膜生长质量。衬底支架的设计方法简单、易于操作、可靠性高，由于衬底表面温度的改善，使金刚石在衬底边缘的沉积速率有了一定提升，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117660942A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311674125.8
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人合肥先端晶体科技
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