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化学气相沉积制备二维α相氧化铋纳米片的方法.pdfVIP

化学气相沉积制备二维α相氧化铋纳米片的方法.pdf

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    本发明公开了一种化学气相沉积制备二维α相氧化铋纳米片的方法。所述方法先将Bi2O3粉末和NaCl颗粒混合后置于第一温区，通过混合载气Ar/O2将反应后的前驱体粉末输送到放置有衬底的第二温区，在衬底上沉积生长，制得α‑Bi2O3纳米片。本发明通过调控生长参数，温度、压强、载气流量等，得到不同厚度、不同直径尺寸大小的α‑Bi2O3圆形纳米片，且制备的α‑Bi2O3圆形纳米片的形状规则、成核密度大、物理化学性质稳定。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117660925A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202211027180.3

    (22)申请日2022.08.25

    (71)申请人南京理工大学

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