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包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管.pdf

    公开了包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管。一种竖向结型场效应晶体管VJFET，包括在半导体本体中沿着第一横向方向延伸的多个台面区。沟槽结构包括被经由多个沟槽结构的底部侧或者侧壁中的至少一个电连接到半导体本体中的第一导电类型的栅极区的栅极接触材料。多个沟槽结构的宽度满足如下的i)或者ii)：i)与沟槽结构中的更中心的部分中相比，沟槽结构中的被沿着第二横向方向布置在最外的至少一个的宽度更小，或者ii)与多个沟槽结构中的更中心的部分中相比，沿着第一横向方向上的端部部分，多个沟槽结构中的至少一些的宽度

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117673169A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311156811.6

    (22)申请日2023.09.06

    (30)优先权数据

    92022

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