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本发明公开一种边缘刻蚀设备及使用方法，所述刻蚀设备包括反应腔，反应腔上部设有上电极组件，反应腔的下部设有用于承载晶圆的基座，基座的外围设有下电极环和接地环；上电极组件包括：安装基板，用于安装上电极环；安装基板的外缘设有第一抵接部，第一抵接部位于上电极环的径向外侧；接地环的外缘设有第二抵接部，第二抵接部位于下电极环的径向外侧；在刻蚀过程中，第二抵接部与第一抵接部抵接以在晶圆边缘区域形成约束空间，其中约束空间设有第一抽气通道。本发明既能够对等离子体进行约束，还能使等离子体分布均匀，从而保证晶圆边缘刻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672793A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211007788.X
(22)申请日2022.08.22
(71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公
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