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半导体结构及其制备方法、电子设备.pdfVIP

半导体结构及其制备方法、电子设备.pdf

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    本申请提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于改善鳍分布不均时，不同鳍的宽度存在差异的问题。半导体结构的制备方法包括：在衬底的第一表面形成多个第一鳍部；多个第一鳍部并排突出于第一表面上。刻蚀部分第一鳍部，在剩余的多个第一鳍部之间形成空白区。在剩余的多个第一鳍部的表面形成保护层。刻蚀衬底的未被剩余的多个第一鳍部覆盖的区域，在剩余的多个第一鳍部的下方形成第二鳍部。每个第一鳍部和位于其下方的第二鳍部形成鳍。上述半导体结构应用于电子设备中，以提高电子设备的性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117672967A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202211008645.0

    (22)申请日2022.08.22

    (71)申请人华为技术有限公司

    地址5181

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