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本发明提供一种适用于高温环境的氧化镓器件欧姆接触制造方法，涉及半导体技术领域。其中，此方法包括：对高掺氧化镓单晶衬底表面进行重离子辐照，形成具有导电通道的重离子辐照层，在具有导电通道的重离子辐照层的样品表面依次沉积底层欧姆金属和顶层欧姆金属后，进行快速热退火形成氧化镓欧姆接触。本发明技术方案对高掺氧化镓单晶衬底进行重离子辐照，使高掺氧化镓单晶衬底表面产生大量由晶格损伤引起的有极高热稳定性的导电通道，以实现欧姆接触；此外，采用的底层欧姆金属具有高熔点且其氧化物自由能高于氧化镓，避免在高温下与氧化镓
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672867A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311666702.9
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人西安电子科技大学
地址7100
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