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沟槽栅超结器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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沟槽栅超结器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种沟槽栅超结器件，超结结构的第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二外延层组成且在顶部形成有由外延填充形成的封口缺陷区，组成沟道区的第二导电类型阱区的深度大于等于反偏时漂移区对沟道区纵向耗尽形成的阱耗尽区的深度和封口缺陷区的深度和，防止阱耗尽区进入到所述封口缺陷区中。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能消除超结结构的封口缺陷区对器件性能的不利影响和提高超结沟槽外延填充的工艺窗口和效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117673143A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202211053898.XH01L21/336(2006.01)

    (22)申请日2022.08

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