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本发明提供了一种表面卤素功能化低维铋纳米材料及其制备方法、应用,涉及新材料和能源存储的技术领域,包括以下步骤:(a)铋金属棒和铂片分别作为阴极和阳极进行电解,得到由阴极生成的铋纳米材料和由阳极生成的卤素分子;其中,电解的电解液选自四烷基卤化铵有机溶液;(b)步骤(a)得到的由阴极生成的铋纳米材料和由阳极生成的卤素分子进行混合,静置,得到表面卤素功能化低维铋纳米材料。本发明解决了现有技术的低维铋材料在空气中极易氧化而导致应用受限的技术问题,达到了通过相对简单的方法制备稳定性优异的低维铋纳米材料的技
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117655342A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311675177.7
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人铜仁学院
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