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一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法.pdf

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    一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法，属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜，然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min，随后将其转移至管式炉，在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h，最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度，电导率增强15倍，并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外，在异质结处存在不同程度的位错和畸变，用于增强半导体材料电子与空穴的分离，有益于电子从价带导

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117661022A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311680121.0B82Y30/00(2011.01)

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