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本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法，包括如下步骤：将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀，然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂，通过助剂分解并进入层间诱导产生层错，烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布，可有效散射中频声子，优化材料的热电性能；同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度，提升其力学性能；可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117677265A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311525476.2H10N10/852(2023.01)
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