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2024-03-09 发布于四川
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本发明公开了一种新型的SC1清洗工艺，S1、SC1槽‑1#：将半导体晶片浸泡在预热的SC1槽‑1#内的溶液中，一般温度为30‑80摄氏度，SC1溶液的成分通常为高纯度的氨水、双氧水和纯水混合物，在这个溶液中，有机和无机污染物会被氧化和去除，以及去除氧化硅层。本发明相较传统SC1清洗工艺，新recipe节约一个18兆纯水清洗槽，晶片从热处理→长多晶→背封→CMP抛光配套RCA清洗机(一般一条线至少配套6台RCA清洗机，共6组SC1标准的recipe)，每一台均可节约一个18兆纯水清洗槽。但不影响清

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672921A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202311698973.2

(22)申请日2023.12.12

(71)申请人上海合晶硅材料股

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