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一种慢波抑制的芯粒互连通道.pdfVIP

一种慢波抑制的芯粒互连通道.pdf

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    本实用新型涉及一种慢波抑制的芯粒互连通道，包括层叠的金属地、硅衬底和M1金属走线层，所述M1金属走线层用于高速信号布线，所述M1金属走线层下方硅衬底硅材料区域设置TSV过孔阵列，所述TSV过孔阵列用于改变硅材料的导电性使镜像电流集中到靠近M1金属走线层的区域、减少慢波效应对M1金属走线层高速信号的影响。有益效果是成本低、慢波效应小、信号传输特性好。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220569678U

    (45)授权公告日2024.03.08

    (21)申请号202321990869.6

    (22)申请日2023.07.27

    (73)专利权人北京辉羲智能信息技术有限公司

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