GB/T 41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定　二次离子质谱法.pdf

ICS77.040

CCSH17GB

中华人民共和国国家标准

GB/T41153-2021

碳化硅单晶中翻、铝、氮杂质含量的测定

二次离子质谱法

Determinationofboron,aluminumandnitrogenimpuritycontentinsilicon

carbidesinglecrystal-Secondaryionmassspectrometry

2021-12-31发布

2022-07-01实施

国家市场监督管理总局串舍

国家标准化管理委员会。ι叩

GB/T41153-2021

前言

本文件按照GB/T1.12020《标准化工作导则第l部分z标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口．

本文件起草单位z中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公

司、山东天岳先进科技股份有限公司。

本文件主要起草人z马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何短坤、李素青、张红岩。

I

GB/T41153-2021

碳化硅单晶中珊、铝、氨杂质含量的测定

二次离子质谱法

1范围

本文件规定了碳化硅单晶中棚、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。

本文件适用于碳化硅单晶中棚、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为跚含量不小于5×1013cm－＇、

铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm－•，元素浓度（原子个数百分比〉不大于1%。

注1，碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计．

注2，碳化硅单晶中饥杂质含量的测定可参照本文件进行，测定范围为钮含量不小于1×10cm-•.

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文

件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本〈包括所有的修改单）适用于

本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T22461表面化学分析词汇

GB/T32267分析仪器性能测定术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T22461和GB/T32267界定的术语和定义适用于本文件。

4原理

在高真空（真空度优于5×107Pa）条件下，氧或铠离子源产生的一次离子，经过加速、纯化、聚焦

后，轰击碳化硅单晶样品表面，溅射出多种粒子。将其中的离子（即二次离子）引出，通过质谱仪将不同

质荷比的离子分开，记录并计算样品中待测元素与主元素硅的离子计数率之比。利用相对灵敏度因子

定量分析并计算出碳化硅单晶中的待测元素的含量。

5干扰因素

5.1二次离子质谱仪存在记忆效应，若测试过待测元素含量较高的样品，仪器样品室内会残留高含量

的待测元素，影响待测元素含量的测试结果．

5.2仪器型号不同或者同一仪