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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供能抑制在晶体管中产生的热向元件传导的半导体装置。半导体装置具备：碳化硅基板(10a)；氮化物半导体层(10b)，设于所述碳化硅基板的上表面；晶体管(20)，设于所述氮化物半导体层上；以及元件，设于所述碳化硅基板上，所述碳化硅基板具有孔(42)，该孔(42)设于所述晶体管与所述元件之间，且该孔(42)是所述碳化硅基板的至少一部分被从所述碳化硅基板的下表面去除而成的、内部的导热系数比所述碳化硅基板的导热系数小的孔。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117690892A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202310948353.3

    (22)申请日2023.07.31

    (30)优先权数据

    2022-143844202

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