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本申请适用半导体工艺技术领域，提供一种化学气相沉积装置以及方法，该装置包括生长沉积区以及至少两个前驱体放置区；各个前驱体放置区分别用于放置不同的前驱体，且各个前驱体放置区均设置有电阻丝，以分别通过调节电阻功率控制各个前驱体的加热温度，使受热挥发的前驱体原子通过气流运送到生长沉积区进行生长沉积；本申请通过调节电阻功率直接控制各个前驱体的加热温度，具有升温速率快、体积小、同时实现不同前驱体的蒸发温度调控等优点，有助于实现大面积高质量二维半导体材料及异质结的制备生长及其产业化应用；另外，通过将生长所用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117684151A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311810827.4
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人电子科技大学中山学院
地址52
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