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本发明提出了一种图像传感器的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一衬底，包括器件区和非器件区；在衬底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖器件区并延伸至部分非器件区上；在非器件区的衬底上形成台阶；在衬底上形成第二氧化材料层，第二氧化材料层覆盖第一氧化层、台阶的表面和侧壁；在第二氧化材料层表面形成牺牲层；对牺牲层进行至少两次平坦化处理，以去除牺牲层和部分厚度的第二氧化材料层，再进行抛光处理，形成第二氧化层；在第二氧化层上形成高键合强度的键合接触层；将键合接触层与承载基板进行键合，形成图像
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690943A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202410129350.1
(22)申请日2024.01.31
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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