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本发明针对一种用于在金属化层之间或内形成具有低轮廓的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构的方法。例如，该方法包括：在衬底上形成具有导电结构和第一介电层的第一金属化层，第一介电层邻接导电结构的侧壁表面；蚀刻第一介电层的部分以暴露导电结构的侧壁表面的部分；在第一金属化层、导电结构的侧壁表面的暴露部分和顶面上沉积存储器堆叠件；图案化存储器堆叠件以形成覆盖导电结构的侧壁表面的暴露部分和顶面的存储器结构；沉积第二介电层以密封存储器堆叠件；以及在第二介电层上形成第二金属化层。本发明的实施例还涉及半导体结构和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111987118A
(43)申请公布日
2020.11.24
(21)申请号20201
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