微电子技术专业英语.docVIP

A

abruptly立刻

abundance分布量

accelerated加速

accommodat接纳，供应

adjacent接近的

affinity倾向

alloying合金

align排列

amorphoustype不定形

amplifier放大器

analog模拟的

anisotropic各向异性的

anncal退火

annihilate消灭

approximate近似；相符性

arbitary任意的

arsenic砷

atrest静止

avalanche雪崩

B

barrier势垒

base基极

bias偏压

bipolarjunctiontransistor双极性晶体管（BJT）

biasing偏置

boron硼

boundary边界

bulk体积

buriedlayer埋层

C

capacitance电容

channel沟道

coefficient系数

collision碰撞

collector集电极

compensate补偿

composite复合的

concentration浓度

conductor导体

conductionband导带

conductivity磁场

configuration结构

constant常数

constitute构成

constituent要素

consumption功耗

constant恒定

core核心

corresponding对应的

correspond相一致

covalentband价带

critical临界

crystal晶体

crystallattice晶格

crystalorientation晶向

cube立方

cubic立方的

current电流

cutoff节制

D

Danglingbond悬挂键

dashedline虚线

decay衰减

deficiency缺乏

degenerate简并

density浓度

deplete耗尽

depletionregion耗尽层

device器件

dielecticconstant介电常数

dielectic绝缘体，电介质

diffusion扩散

dimension量纲

diode二极管

discontinuity中断

discrete离散的

displacement位移

distribution分布

donor施主

dopinglevel掺杂浓度

dopant掺杂剂

drain漏

drift漂移

duplicate复制

E

effectivepotentialenergy有效势能

electrode电极

electrostatic静电学的

election电子自旋

elementsemiconductor元素半导体

elevate提升

emitter发射极

epitaxy外延

equidistant等距的

equilibrium平衡

excess过盛

excitation激发

external外部的

extracted抽取

extrapotation外推

extrinic非本征

F

Fabrication制作

finite限定的

figureofmerit品质因子

flatbandvoltage平带电压

flexibility适应性

flux流动

fraction比例

forbiddenregion禁带

forwardbia正向偏压

G

gallium镓

gaseous气态的

gate栅；门

germanium锗

generate生成

graded缓变

gradient梯度

H

homejunction同质节

I

illumination光照

impactionization碰撞电离

implantation注入

impurity杂质

incidention射入离子

incorporate合并

infinite无限的

influx流入

inherently本身

insulator绝缘体

interaligitatedstructure叉指型结构

interatomic原子间的

intercept截距

interest意义

interface界面，接口

integration积分

intrinsic本征

inverted反向

inversionlayer反型层

ionized电离

isolated孤立的

isotropic各向同性

J

Joule焦耳

K

Kinetic运动的

L

Lateral侧面的

le