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本发明公开一种带有双浮空场限环的超结结构LDMOS器件。本发明包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，在所述超结区的上方覆盖有场板，并在超结区采用双浮空场限环结构，用于减缓超结区PN结掺杂时的曲率效应，并同时改变漏极电场分布。本发明相较于传统超结LDMOS结构，减缓了超结区PN结掺杂时的曲率效应，并同时改变了漏极电场分布，使超结区部分的电场分布变得更加均匀和分散，避免电场过度集中而发生击穿现象。在超结区域下方使用缓冲区，消除由于引入P型衬底带来的电荷失配问题，从而进一步提高器件的击穿电压BV
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712172A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311730746.3H01L29/40(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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