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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供初始衬底；刻蚀所述初始衬底，形成衬底以及凸设于所述衬底的顶面的半导体块；于所述半导体块中形成多个第一沟槽，多个所述第一沟槽将所述半导体块分隔为沿第一方向间隔排布的多个半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面。本公开减少了半导体结构内部的应力等缺陷问题，从而提高了半导体结构的制造良率，改善了半导体结构的电性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117715407A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211084006.2

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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