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基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiC VDMIS器件.pdfVIP

基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiC VDMIS器件.pdf

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    本发明公开了一种基于碳化硅绝缘材料栅极结构的SiCVDMIS器件，主要解决现有器件因其低质量的SiO2/SiC界面导致器件导通电阻增大的问题。其在现有SiCVDMOS器件结构的基础上中采用绝缘SiC复合栅或绝缘SiC介质栅，使得栅介质层中的碳化硅绝缘材料与其下方的碳化硅基区形成无缺陷的绝缘SiC/SiC界面，以从根本上解决现有器件的高SiO2/SiC界面缺陷及低反型层沟道迁移率的问题；同时通过复合栅结构减小栅极漏电流，降低工艺难度。本发明能改善现有器件沟道区与栅介质层的界面质量，提高器件沟道

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712169A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311685175.6

    (22)申请日2023.12.08

    (71)申请人西安电子科技大学

    地址7100

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