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半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

    本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供基片，所述基片具有芯片区与空白区，且包括衬底以及形成在衬底上的目标功能材料层；于所述目标功能材料层上形成目标图形化光刻胶，所述目标图形化光刻胶包括第一图形与第二图形，所述第一图形位于所述芯片区，所述第二图形位于所述空白区的靠近所述芯片区一侧，所述第一图形包括多个目标图形，所述第二图形包括至少一个模拟图形，或，所述第一图形包括多个目标开口，所述第二图形包括至少一个模拟开口；基于所述第一图形对所述目标功能材料层进行刻蚀，形成目标功能层。本申请可以

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712237A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211086509.3

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人重庆康佳光电科技有限公司

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