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第三代半导体概念

一、背景简介

半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成局部，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。目前全球的半导体产业游正向中国大陆转移，中国晶圆厂扩产的步伐已渐渐加快。伴随着国内晶圆厂的投产，将产生更多半导体材料

的需求，市场需求空间被翻开。

第三代半导体材料是以碳化硅〔Sic〕、氮化掠〔Gal〕、氧化锌〔zo〕、金刚石、氮化铝〔AIN〕为代表的宽禁带半导体材料，目前碳化硅〔sic〕和氮化綜〔Gal〕是主流，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

三代半导体材料比较：

半导体

第一代半导体

其次代