一种P型IBC电池及其制备方法.pdfVIP

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2024-03-16 发布于四川
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一种P型IBC电池及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种P型IBC电池及其制备方法，制备方法包括：（1）硅基底双面抛光；（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，高温磷扩；（3）背面涂覆一层浆料，烘干和退火处理后形成一层掩膜层；（4）利用激光对背面的掩膜层进行图形化开膜，在背面形成裸露的P区和覆盖有掩膜层的N区；（5）双面碱制绒；（6）双面沉积氧化铝膜；（7）双面沉积氮化硅膜；（8）利用激光对P区进行图形化开膜；（9）丝网印刷。本发明在硅基底背面单面涂覆一层能形成掩膜层的浆料，通过激光和碱制绒相结合的方式来实现隔离硅基底背面的P区和N区，碱

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115020537A

(43)申请公布日2022.09.06

(21)申请号202210469365.3

(22)申请日2022.04.30

(71)申请人常州时创能源股份有限公司

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