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本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法。所述方法包括：于第一导电类型外延层表面形成第一掩膜层和阻挡层；于第一导电类型外延层中形成第二导电类型阱区；于阻挡层上、第一掩膜层两侧形成侧墙；于第二导电类型阱区中形成第一导电类型源区；去除侧墙后，于第一掩膜层两侧及之上形成加厚介质层；对加厚介质层刻蚀形成T型介质层，通过T型介质层形成第一导电类型注入区。本发明通过两次自对准工艺，实现了第二导电类型阱区与第一导电类型源区、第二导电类型阱区与第一导电类型注入区的自对准，既有效降低了器件的导通电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711946A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311741411.1(51)Int.Cl.
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