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描述了用于仅使用低压晶体管(410内部)来偏置和驱动高压半导体器件(T1，T2)的系统、方法和装置。装置(410)和方法适于控制多个高压半导体器件(T1，T2)以实现高压功率控制，例如，功率放大器、功率管理和转换(例如，DC/DC)以及第一电压(VIN)与低压控制晶体管的最大电压处理(Vdd1，Vdd2)相比较大的其他应用。根据一方面，通过包括晶体管、电流源和电容器的基本边沿延迟电路(图4：215内部；图14a：1410)提供对高压半导体器件(T1，T2)的控制信号(IN)的边沿(图4：215；
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110771043A
(43)申请公布日
2020.02.07
(21)申请号20188
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