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本发明公开了一种低寄生微型场板T型栅的制备方法，包括步骤如下：在衬底上的外延层上方形成介质层；在介质层上形成牺牲层和刻蚀停止层；用抗蚀剂层涂布在刻蚀停止层；采用光刻形成图形；蚀刻抗蚀剂层、牺牲层和刻蚀停止层以在牺牲层和刻蚀停止层中形成图形；去除抗蚀剂层；生长侧墙介质并刻蚀形成压微米栅脚；然后采用腐蚀液腐蚀掉侧墙介质和刻蚀停止层介质，形成微型场板结构；接下采用光刻工艺方法光刻形成栅帽，并蒸发栅金属并剥离；最后采用湿法溶液腐蚀牺牲层，制备出低寄生微型场板深亚微米级的T型栅。本发明解决了金属蒸镀后剥离
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711931A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311781187.9
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人中国电子科技集团
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