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本发明提供了一种深紫外发光二极管及制备方法，深紫外发光二极管包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层的复合层和n型InGaN层，所述复合层包括按预设周期交替沉积在所述非掺杂GaN层上的Si3N4层、n型AlGaN层、InN层。本发明的复合n型GaN层，可以阻挡位错向外延层延伸，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电及非辐射复合。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712253A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410160162.5
(22)申请日2024.02.05
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
地址3
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