提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管沟道迁移率的材料处理方法.pdfVIP

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2024-03-16 发布于四川
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提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管沟道迁移率的材料处理方法.pdf

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本申请公开了提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管沟道迁移率的材料处理方法，在SiC圆片完成n型和p型离子注入后，不再进行氩气气氛高温退火激活，直接进入外延炉进行氢气气氛退火激活，为避免高温退火激活过程中的氢气刻蚀破坏圆片结构，先外延生长一层高浓度n型重掺杂SiC外延层作为氢气刻蚀牺牲层。通过在氢气气氛中引入小流量的硅源，有效抑制氢气刻蚀速率，并在n型重掺杂SiC外延层刻蚀结束后形成富硅、富氮的表面，有益于进一步提高SiCMOSFET器件n沟道的迁移率。本发明适用于现有商业化SiC外延炉，工艺

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117711943A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311537734.9

(22)申请日2023.11.17

(71)申请人中国电子科技集团公司第五十五研

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