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一种斜面刻蚀设备及晶圆中心对准方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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一种斜面刻蚀设备及晶圆中心对准方法.pdf

    本发明公开了一种斜面刻蚀设备及晶圆中心对准方法，所述晶圆中心对准机构包括：环绕斜面刻蚀设备的基座设置的至少两个第一对准单元和至少一个第二对准单元。第一对准单元设有朝基座中心径向延伸的第一基准部和第二基准部；第二基准部与第一基准部在径向方向的尺寸差为晶圆与基座的半径差；第一基准部在第二基准部接触基座侧面时对晶圆的中心进行预定位。第二对准单元用于推动晶圆，使得晶圆的边缘与第一基准部的端部接触，以将晶圆的中心与基座的中心对准。本发明能够提高对准效率，保证晶圆相对基座的中心度，提高晶圆边缘刻蚀效果，保证

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712002A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211084624.7

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公

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