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一种模拟开关.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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一种模拟开关.pdf

    本发明提供一种模拟开关，所述模拟开关的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处，第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处，第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的源极、第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的源极均连接所述输入端，第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接所述输出端，可以解决模拟开关中PMOS管和NMOS管的衬底偏置效应，以及避免了输出端会串扰输入端，引起漏电的风险。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117713777A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211085318.5

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人杰平方半导体（上海）有限公司

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