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2024-03-16 发布于四川
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一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构.pdf

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本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构。所述谐振腔内导体与谐振腔外导体之间具有间隔并形成一部分电容，所述谐振腔内导体为中空结构，使所述谐振腔内导体的内部形成一部分电容；所述调谐螺杆一端从谐振腔外导体一端相对的另一端探入至谐振腔外导体内部，且与谐振腔内导体间隔设置并形成一部分可变电容。通过上述方案，介质损耗几乎不存在，同时能够增加各层之间的正对面积，降低电流密度，进而降低金属性发热损耗，且进一步增大互相之间所产生的平板电容容值，使得LC并联谐振腔的品质因数Q

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117713727A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311781793.0

(22)申请日2023.12.21

(71)申请人福建星海通信科技有限公司

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