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辅助层、叠层器件及其制备方法.pdfVIP

辅助层、叠层器件及其制备方法.pdf

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    本申请公开了一种辅助层、叠层器件及其制备方法，涉及低温共烧陶瓷技术领域。该辅助层包括第一生瓷片，所述第一生瓷片上开设有避让口和定位部，所述定位部位于所述避让口的外围，所述避让口在第一生瓷片上的正投影大于或等于所述叠层器件的功能区在第一生瓷片上的正投影。该辅助层用于低温共烧陶瓷的叠层器件的制备，在叠层器件叠层制备过程中，功能区和非功能区的厚度差较大时，可用于辅助层来补偿半成品叠层器件的功能区和非功能区的厚度差。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117711818A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311601976.XH01F41/00(2006.01)

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