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2024-03-16 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括衬底、栅极线和应力层。所述衬底包括远离所述衬底方向突出的多个第一高度鳍片和多个第二高度鳍片，其中所述第一高度鳍片和所述第二高度鳍片具有不同的高度；所述栅极线位于所述第二高度鳍片之上并且与所述第一高度鳍片的第一侧壁相连接；所述应力层的材料不同于所述第一高度鳍片的材料且覆盖所述第一高度鳍片的第二侧壁之上；其中所述第一高度鳍片的第一侧壁设置于邻近第二高度鳍片的一侧，所述第一高度鳍片的第二侧壁设置于远离第二高度鳍片的另一侧。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117712165A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311434993.9H10B12/00(2023.01)

(22)申请日2021.05.

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