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本发明公开了一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过在第一衬底层上依次形成环形沟槽结构、栅极结构，在形成转角区域和非转角区域的栅极结构之后，使转角区域内的栅极结构之间的沟槽间距等于非转角区域内的栅极结构的沟槽间距，最终得到沟槽终端上拐角处的沟槽间距与水平和竖直方向的沟槽间距相等，消除沟槽器件的薄弱点，提高了器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711929A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311718020.8
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人深圳芯能半导体技
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