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本发明涉及一种高纯氧氯化锆的制备方法，包括：S10酸浸洗涤：用盐酸对氧氯化锆一次结晶料进行洗涤，得到氧氯化锆结晶料；其中，氧氯化锆一次结晶料的锆含量为10～15％；S20洗涤除硅：对氧氯化锆结晶料用硅渣洗涤液溶解，洗出固体硅渣，并获得高纯氧氯化锆滤液；S30结晶：向高纯氧氯化锆滤液加入盐酸以结晶氧氯化锆，获得氧氯化锆二次结晶料；S40洗涤、脱液：用盐酸洗涤氧氯化锆二次结晶料，脱去盐酸洗液后得到高纯氧氯化锆晶体。本发明所述的高纯氧氯化锆的制备方法制得的氧氯化锆母液含锆量较高，接近饱和状态；并且无需
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117699850A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311844129.6
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人乐昌东锆新材料有限公司
地址5
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