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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种多面栅碳化硅MOSFET晶体管及其制备方法、芯片，所述多面栅碳化硅MOSFET晶体管的所述源区、对应的阱区和碳化硅漂移区内形成有梳齿状第一栅结构，所述梳齿状第一栅结构具有梳齿侧壁面、梳齿顶面、梳齿底面三个面与沟道区接触，增加了沟道区的宽度，且所述梳齿侧壁面与现有的衬底平面垂直或形成一定倾斜角度，使得所述梳齿侧壁面对应的沟道区的沟道迁移率大于所述梳齿状第一栅结构的梳齿顶面、梳齿底面对应的沟道区的沟道迁移率，提高了器件整体的综合迁移率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712173A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311733974.6
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人派恩杰半导体（杭州）有限公司
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