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一种集成BJT的碳化硅探测器芯片及电路.pdfVIP

一种集成BJT的碳化硅探测器芯片及电路.pdf

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    本发明提供一种集成BJT的碳化硅探测器芯片及电路，设计探测器领域，所述探测器芯片包括：由下至上依次层叠的衬底层、集电极层、增益层、基极层以及发射极层；集电极电极，设置于所述衬底层的底部形成欧姆接触；基极电极，设置于所述基极层的顶部形成欧姆接触；发射极电极，设置于所述发射极层的顶部形成欧姆接触；所述衬底层、所述集电极层、所述增益层、所述基极层以及所述发射极层均由碳化硅掺杂形成，所述集电极层作为探测器的本征层。将作为放大电路的核心的BJT与探测器结构集成，减少放大电路引入的噪声，提高探测时响应信号的

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712217A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311663186.4H01L27/144(2006.01)

    (22)申请日2023.12

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