存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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本发明提供一种存储器,包括:堆叠结构,设置于衬底上方,其中所述堆叠结构包括相互交替的多个叠层与多个隔离层,且每一叠层包括:第一源极与漏极层;绝缘层,设置于所述第一源极与漏极层上;第二源极与漏极层,设置于所述绝缘层上;以及沟道层,设置于所述绝缘层的侧壁,且所述沟道层的下表面与所述第一源极与漏极层连接,所述沟道层的上表面与所述第二源极与漏极层连接。所述存储器还包括栅极柱穿过所述堆叠结构;以及电荷存储结构,设置于所述沟道层与所述栅极柱之间。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117715430A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202211041237.5

(22)申请日2022.08.29

(71)申请人华邦电子股份有限公司

地址中国

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