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- 2024-03-16 发布于四川
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本申请公开了一种SOT‑MRAM单元和存储器，涉及磁随机存储领域，包括：自旋轨道矩提供线；设于自旋轨道矩提供线上的至少两个间隔的磁隧道结，其中，磁隧道结包括至少两层介质层和层叠的自由层、参考层、钉扎层，其中一层介质层设于自由层和参考层之间。本申请SOT‑MRAM单元中的磁隧道结中除了设于自由层和参考层自之间的介质层，还设有至少一层介质层。当设于自由层和参考层自之间的介质层发生短路，在进行写操作时，其余介质层可以作为保护电阻，避免自旋轨道矩提供线连接的WWL上电流发生比较大的变化，解决因一个磁隧道
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117715437A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202211071025.1
(22)申请日2022.09.02
(71)申请人浙江驰拓科技有限公司
地址31
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