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本发明公开了一种用于SiCMOSFET的过渡区设计；其在栅极电位在芯片内部过渡区的位置设置了电位缓冲结构，电位缓冲结构采用包括不同温度系数的半导体电阻R1和电阻R2的串联分压结构。其中，电阻R1和电阻R2之和对应外部栅极电位，而之中R2电阻对应分压连接至有源区内部，形成内部栅极电位。外接接栅极电位在芯片内部不同的温度下具有不同的分压比，使得器件在极高温时具有较低的内部栅极电位，对有源区内部芯片实现短路保护。同时将其与SiC过渡区及栅走线区进行兼容设计，在不牺牲器件主要参数的前提下，提供了对芯片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712120A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311676275.2
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人复旦大学宁波研究院
地址315
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