原创力文档- 1
- 0
- 约1.04万字
- 约 12页
- 2024-03-16 发布于四川
- 举报
本发明提供一种金属互连结构的形成方法及半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部上形成有至少两个栅极结构，所述栅极结构的上方形成有介质层，相邻栅极结构之间形成有沟槽；在所述沟槽内形成金属层；形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述介质层和所述金属层；采用原子层沉积工艺形成第三隔离层，所述第三隔离层覆盖所述第二隔离层。所述第三隔离层的台阶覆盖性较好，且致密性较佳，有利于使第二隔离层和沟槽侧壁有空隙的地方被完整覆盖，可减少酸性溶剂接触金属层，避免或减少下层金属层缺失，有利于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712026A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202211085396.5
(22)申请日2022.09.06
(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司
地址
文档评论（0）