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本发明涉及通过原子层沉积形成平滑和共形的钴膜的方法和装置。本发明提供了在特征中沉积钴的原子层沉积(ALD)方法。该方法涉及ALD循环过程中的两步表面处理，一步涉及共反应气体与被吸附的钴前体的反应，另一步涉及钴表面上的生长抑制反应物气体。生长抑制反应物气体显著降低钴的生长速率，生成高度共形的钴膜。所描述的ALD工艺通过单独的表面处理和低的工艺温度实现膜成核、台阶覆盖率和形态学方面的改进的可控性。这些方法适用于各种特征填充应用，包括适用于前端制程(FEOL)处理中的金属栅极的制造/触点填充、以及后端
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108847394A
(43)申请公布日
2018.11.20
(21)申请号20181
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