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本申请针对缝隙氧化物和通孔形成技术。举例来说，用于制造三维存储器装置的技术，所述三维存储器装置可包含各自包含存储器单元堆叠和相关联存取线的存储器单元的多个叠组。所述技术可形成互连区，而不移除所述存储器单元堆叠的一部分。所述互连区可包含延伸穿过存储器单元的所述叠组的一或多个导电通孔以使所述存取线与可位于存储器单元的所述叠组下方的逻辑电路系统耦合。此外，所述技术可通过形成可割断所述存取线的沟槽而将存储器单元阵列划分为存储器单元的多个子阵列。在某些情况下，存储器单元的每一子阵列可与存储器单元的其它子阵
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113632229A
(43)申请公布日2021.11.09
(21)申请号202080010179.2(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限
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