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本发明提供一种多层外延超结场效应晶体管及其制备方法，其中，元胞区超结柱由第一元胞区超结掺杂单元、第二元胞区超结掺杂单元、第三元胞区超结掺杂单元、第四元胞区超结掺杂单元与第五元胞区超结掺杂单元扩散相连而成，第三元胞区超结掺杂单元在宽度方向上向第一侧偏离第一元胞区超结掺杂单元预设距离，第四元胞区超结掺杂单元在宽度方向上向与第一侧相反的第二侧偏离第一元胞区超结掺杂单元预设距离。采用这种元胞区超结柱能够改善多层外延超结场效应晶体管器件的短路耐受能力，具体表现为短路耐受时间增加与短路期间发热减少，例如当超
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711948A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311789978.6
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人瑶芯微电子科技（上海）有限公司
地
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