一种阈值电压调整方法、湿法刻蚀方法及金属氧化物器件.pdfVIP

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2024-03-16 发布于四川
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本发明属于集成电路加工工艺技术领域，尤其涉及一种阈值电压调整方法、湿法刻蚀方法及金属氧化物器件；于共存有中压第二阈值区（120）MV和/或高压第三阈值区（130）HV的目标器件（010），以湿法刻蚀WE（WETETCH）对低压区LVA（LowVoltageArea）第一阈值区（110）LV进行电压阈值VT（VoltageThreshold）调控，使第一阈值电压（111）LVT变化量大于预设调整阈值（199），确保第二阈值电压（122）MVT和/或第三阈值电压（133）变化量小于预设缓冲阈

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117712041A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311598709.1

(22)申请日2023.11.27

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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