同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI-LDMOS晶体管.pdfVIP

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2024-03-16 发布于四川
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同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI-LDMOS晶体管.pdf

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本发明公开了一种同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI‑LDMOS晶体管，其包括由下至上依次层叠设置的衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。硅膜层中的漂移区的左上方设置有梯形沟槽结构，右下方设置有梯形埋层结构。本发明在漂移区内引入呈直角梯形的沟槽结构和埋层结构，使得漂移区电流能够按照特定的路径进行流通，同时缩小漂移区内电流流动区域，有效地提升了漂移区的掺杂浓度，极大地降低了器件的导通电阻，在漂移区内右下侧引入的埋层不仅改变了电流流通路径，同时与埋氧层共同承担电压，有效地提升了器件的耐压性能，源端左侧以及埋

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117712174A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311807259.2

(22)申请日2023.12.26

(71)申请人杭州电子科技大学